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会议背景
金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，目前已经在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量子结构的制备上得到广泛应用，极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十二届，规模和影响越来越大，已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。
本次会议选择在“烟花三月下扬州”的美好春色中在古城扬州举行，来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家将在MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子和电子器件研发等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。
这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。
会议宗旨
交流MOCVD技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果；探讨目前存在的问题和今后主要的发展方向；促进产学研结合进程，进一步加快我国MOCVD技术创新及推广应用。
参会对象
MOCVD相关材料生长和制备、生长机理与性质研究、设备研制与开发等专家、学者、技术人员、企业管理人员及学生等。
