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首页 > 商务会议 > IT互联网会议 > IFWS2019 微波射频与5G移动通信技术论坛 更新时间:2019-11-26T15:12:38

IFWS2019 微波射频与5G移动通信技术论坛
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IFWS2019 微波射频与5G移动通信技术论坛 已截止报名

会议时间: 2019-11-25 08:00至 2019-11-27 18:00结束

会议地点: 深圳  详细地址会前通知   周边酒店预订

主办单位: 国家半导体照明工程研发及产业联盟 第三代半导体产业技术创新战略联盟

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        会议介绍

        会议内容 主办方介绍


        IFWS2019 微波射频与5G移动通信技术论坛

        IFWS2019 微波射频与5G移动通信技术论坛宣传图

        氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。


        2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。


        作为论坛的重要组成部分,微波射频与5G移动通信技术论坛将于11月27日深圳会展中心召开。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议,呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。


        时间:2019年11月27日上午09:00-12:00

        地点:深圳会展中心 • 五层玫瑰厅1

        查看更多

        国家半导体照明工程研发及产业联盟

        第三代半导体产业技术创新战略联盟 第三代半导体产业技术创新战略联盟

        2015年9月9日,在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”(以下简称“联盟”)在北京国际会议中心举行了成立大会。 科技部曹健林副部长、高新司赵玉海司长、科技部高技术研究发展中心秦勇主任,北京市科学技术委员会闫傲霜主任,中国科学与科技政策研究会李新男副理事长等领导出席了成立大会。南京大学郑有炓院士代表45家发起机构单位正式宣布第三代半导体产业技术创新战略联盟成立。科技部曹健林副部长、南京大学郑有炓院士、北京市科学技术委员会闫傲霜主任、北京半导体照明科技促进中心吴玲主任共同为联盟揭牌。

        会议日程 (最终日程以会议现场为准)


        P203:微波射频与5G移动通信 / RF Technology and 5G Mobile Communication

        时间:2019年11月27日上午09:00-12:00

        地点:深圳会展中心 • 五层玫瑰厅1

        Time: Nov 27th, 2019 09:00-12:00

        Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Floor Rose Hall 1

        演示文件建议尺寸比例/Recommend Slides Size:4:3

        主持人

        Moderator

        蔡树军/CAI Shujun

        河北半导体研究所副所长 / The Deputy Director of Hebei Semiconductor Research Institute

        张乃千/ ZHANG Naiqian

        苏州能讯高能半导体有限公司董事长/President of Dynax Semiconductor Inc.

        09:00-09:25

        适用于第五代行动通讯六吋氮化镓微波功放技術及基站功率电源模块

        The Epi structure and Process Considerations of 6-inch GaN RF HEMT for 5G applications

        邱显钦    台湾长庚大学教授

        Hsien-Chin CHIU    Professor of Chang Gung University

        09:25-09:50

        高频氮化镓HEMT器件和MMIC

        High frequeny GaN HEMTs and MMICs

        Peter BRÜCKNER    德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理

        Peter BRÜCKNER    Group Manager of Fraunhofer Institute of Applied Solid State Physics, Germany

        09:50-10:15

        5G 毫米波应用

        5G mm Wave

        刘建利    中兴无线技术总工及技术委员会专家

        LIU Jianli    Chief Engineer of Wireless Technology of ZTE, Expert of ZTE Technical Committee

        10:15-10:35

        高频硅基氮化镓晶体管

        High-frequency GaN-on-Si transistors

        刘志宏    西安电子科技大学教授

        LIU Zhihong    Professor of Xidian University

        10:35-10:50

        茶歇/Coffee Break

        10:50-11:15

        5G用毫米波Doherty功率放大器的研制

        Development of a 5G Doherty Power Amplifier with A Millimeter Wave

        张志国    北京国联万众科技有限公司副总经理

        ZHANG Zhiguo    Deputy General Manager of Beijing advance semiconductor Co.,ltd

        11:15-11:35

        一种新型毫米波氮化镓高线性晶体管

        High-linearity GaN HEMTs for millimeter-wave applications

        张凯    南京电子器件研究所高级工程师

        ZHANG Kai    Senior Engineer of Nanjing Electronic Devices Institute

        11:35-11:55                        

        一种用于微波半导体芯片测试的高集成度多参数射频收发模块设计方法

        A Highly Integrated Multi-Parameters RF Module for Microwave Semiconductor Testing

        张光山    中国电子科技集团第41研究所

        ZHANG Guangshan    The 41st Research Institute of CETC

        11:55-12:10

        一种采用氮化镓MMIC和的分离FET器件的HMIC封装技术的便携X波段功率放大器

        A Compact X-band Pallet Power Amplifier Using GaN MMIC and Discrete FETs with HMIC Technology

        王毅    河北半导体研究所

        WANG Yi    Hebei Semiconductor Institute

        12:10-14:00

        午休与POSTER交流 / Adjourn & POSTER Communication

         

        注:最终会议日程以现场实际为准。

        2019年11月25日-下午

        P101 论坛开幕大会(5L勒杜鹃厅)

         

        2019年11月26日-上午

        P202 功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)-1(6L茉莉厅)

        P207 光品质与光健康-1(6L郁金香厅)

        P208 Micro-LED与新型显示(5L牡丹厅)

        P209 超宽禁带半导体技术(5L玫瑰厅2)

        P210 可靠性与热管理(5L玫瑰厅1)

        P301 智慧照明与边缘计算-1(6L水仙厅)免费

        P302 城市景观与夜游经济(5L玫瑰厅3)免费

        P303 智能家居照明与跨界生态(5L菊花厅)免费

         

        2019年11月26日-中午

        POSTER 交流会

         

        2019年11月26日-下午

        P201 衬底、外延及生长装备(SiC 和GaN)(5L菊花厅)

        P202 功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)-2(6L茉莉厅)

        P205 半导体照明芯片、封装及模组技术-1(5L玫瑰厅2)

        P206 生物农业光照技术(5L玫瑰厅1)

        P301 智慧照明与边缘计算-2(6L水仙厅)免费

        P304 显示工程与创新应用(5L牡丹厅)免费

        P306 Aixtron - 驱动未来科技(6L郁金香厅)免费

        P307 SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会(5L玫瑰厅3)免费

         

        2019年11月27日-上午

        P203 微波射频与5G移动通信(5L玫瑰厅1)

        P204 固态紫外器件技术(6L水仙厅)

        P205 半导体照明芯片、封装及模组技术-2(5L玫瑰厅2)

        P207 光品质与光健康(5L郁金香厅)

        P305 智能驾驶时代的汽车照明(5L玫瑰厅3)免费

        P404 TCS-16(5L菊花厅)

         

        2019年11月27日-下午

        P102 论坛闭幕大会(6L茉莉厅)

         

        交流与展示 11月25-27日

        P502:2019第三代半导体技术应用创新展(CASTAS)展览 免费

        查看更多

        会议嘉宾 (最终出席嘉宾以会议现场为准)


        蔡树军

        河北半导体研究所副所长

        蔡树军研究员,美国UCLA电子工程系博士毕业,现任中国电科十三所科技委主任、副所长,电子科技大学、西安电子科技大学、北京理工大学兼职教授、博士生导师。长期从事微波半导体器件研究工作。发表专业文章170余篇。

        张乃千

        苏州能讯高能半导体有限公司董事长

        张乃千1995年清华大学电子工程系本科毕业,2002年在加州大学圣塔巴巴拉分校获得电子工程博士学位。他于2007年回国创办了能讯半导体并任总裁。能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与制造商业企业,自主进行氮化镓外延生长、晶圆制造、内匹配与封装等。

        邱显钦

        台湾长庚大学教授

        邱教授2003年在台湾中央大学电机系固态组取得博士学位后,加入了亚洲第一家六吋砷化镓代工厂(现在世界最大砷化镓器件代工厂)-稳懋半导体。2004年加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备,2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发,2010年取得正教授资格。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室,2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块,氮化镓微波晶体管与模块。2012年担任长庚大学高速智能通讯研究中心主任,来年也担任长庚大学光电所所长。

        Peter BRÜCKNER    

        德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理

        Peter Brückner于2004年获得乌尔姆大学电气工程工学硕士学位。之后,他成为乌尔姆大学光电子学研究所的科研人员,致力于氮化镓外延和独立氮化镓衬底领域的工学博士学位并于2008年获得博士学位。2008至2010年他在United Monolithic Semiconductors做GaN HEMT技术研发工程师。2011年他加入德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所,现在的重心在short gate-length GaN HEMT on SiC技术发展上。他现在负责蚀刻技术组,并领导着若干IAF项目。

        刘建利  

        中兴无线技术总工及技术委员会专家

        刘建利,1989年7月毕业于西北工业大学无线电技术专业,在凌云电器总公司从事射频电路研发,期间获电子工业部科技进步奖,后赴日本进修。1998年9月加入中兴通讯,先后负责射频无线收发信机、PHS基站射频、WCDMA智能天线、基站射频功放平台等研发工作,历任射频研发工程师、系统工程师、项目经理、西安研究所射频开发室主任、中兴通讯射频功放平台总工等职,目前作为无线技术总工及公司技术委员会专家主要负责无线技术的研究及对外合作工作。发表论文4篇,申请专利10余项,其中美国专利2项。


        刘志宏   

        西安电子科技大学教授

        刘志宏,分别于2001、2004和2011年获南开大学学士、中科院半导体所硕士和新加坡南洋理工大学博士学位。2007年加入新加坡南洋理工大学淡马锡实验室,任职Research Associate,负责氮化镓微波器件和MMIC制造技术的研发;2011年加入新加坡-麻省理工学院科研联盟中心(SMART),任职 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist,科研方向为硅基氮化镓电子器件、氮化镓与硅CMOS异质集成等。2019年全职回国加入西安电子科技大学,任职教授。目前的研究方向为氮化镓等宽禁带半导体电子器件。


        张凯

        南京电子器件研究所高级工程师

        张凯博士,于2014年毕业于西安电子科技大学微电子学院,2015年加入南京电子器件研究所微波毫米波单片集成与模块电路重点实验室。他专注于探索创造新颖的、先进的GaN器件,包括高线性GaN器件、太赫兹GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前为止,典型成果包括国际第一个具有优异功率性能的GaN FinFET器件,国内截止频率最高的SiC衬底上GaN器件、国际整体性能最优的Si基GaN高频器件(以上结论依据源于已发表文章、会议等),成果曾经两次被Semiconductor Today杂志专题报道。


        张志国

        北京国联万众半导体科技有限公司副总经理

        张志国,博士、博士后、研究员,北京国联万众半导体科技有限公司副总经理,具有十五年宽禁带半导体研发、生产和管理经历,是国内较早在此领域开展研究人员之一。牵头建立了国内首个GaN微波功率器件工艺技术研发平台,编写了国内首套研发工艺和检验规范。基于此平台后续研制的GaN微波功率器件和芯片产值超亿元。研制出国内第一支瓦级GaN HEMT器件,第一支X波段GaN MMIC芯片,为后续规模应用奠定工艺和理论基础。开发了国内首个X波段GaN MMIC工程化产品,形成详细规范并在系统中进行验证和试用。先后承担和参与十几项国家重大专项、北京市重大项目等,发表论文四十余篇。作为专家参与多项国家级和北京市宽禁带半导体规划工作。

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        参会指南

        会议门票


          会议通票 学生票 SSLCHINA IFWS
        11月10日前 3600 2000 3150 3150
        现场缴费 4000 2500 3500 3500
        *SSL相关会议  
         *IFWS相关会议 √    √     √
        产业峰会 √ 
        会议同期展览 √ 
        论文集
        会议手册
        展商手册
        *自助餐(午+晚)
        茶歇
        欢迎晚宴   不含

        备注:

        *国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

        *学生参会需提交相关证件。

        *会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

        *若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除已缴费金额的40%作为退款手续费。

        *SSL相关会议包含:P201、P204、P205、P206、P207、P208、P210。

        *IFWS相关会议包含:P201、P202、P203、P204、P208、P209、P210。

        *自助餐包含:11月26日午餐和晚餐、11月27日午餐。

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        温馨提示
        酒店与住宿: 为防止极端情况下活动延期或取消,建议“异地客户”与活动家客服确认参会信息后,再安排出行与住宿。
        退款规则: 活动各项资源需提前采购,购票后不支持退款,可以换人参加。

        还有若干场即将举行的 5G大会

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        部分参会单位

        主办方没有公开参会单位
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