谢晓明，1965年1月生，江苏省人。1985年毕业于武汉大学物理系，1990年在中国科学院上海冶金研究所获博士学位，现为中国科学院上海冶金研究所研究员。他主要从事高温超导体材料的基础研究。在国际上率先将低频内耗方法用于陶瓷超导体的微结构研究，最早观察到对应于正交相和四方相的两个特征内耗峰，得到了氧在不同位置的占有率和氧含量的关系。利用内耗测试结果阐明了氧扩散机制，提出丁氧在Cu(1)-O基面跃迁规则，并求得扩散系数，为材料制备工艺提供了重要依据。这些成果达到国际先进水平，受到国内外同行公认并被厂泛引用。
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